作者：網(wǎng)絡(luò)投稿 發(fā)布時(shí)間：2023-03-06 00:00 閱讀次數(shù)：120
網(wǎng)上有很多關(guān)于光模塊外殼市場,數(shù)通和電信市場雙輪驅(qū)動(dòng)的知識(shí)，也有很多人為大家解答關(guān)于光模塊外殼市場的問題，今天瑞達(dá)豐光模塊外殼加工廠(m.xindifood.com)為大家整理了關(guān)于這方面的知識(shí)，讓我們一起來看下吧!
1、光模塊外殼市場
（報(bào)告出品方/分析師：國金證券 樊志遠(yuǎn) 邵廣雨）
1.1 光芯片系光通信核心元件，位于光通信產(chǎn)業(yè)鏈上游
2023 年全球光電子市場規(guī)模有望達(dá) 454 億美元。
根據(jù) 2022 年 11 月 WSTS 的最新數(shù)據(jù)，2022 年全球光電子市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到 438 億美元，相較 2021 年的 434 億美元成長 1%。2023 年全球光電子市場規(guī)模有望同比增長 4%，達(dá)到 454 億美元。
光芯片是利用光電轉(zhuǎn)換效應(yīng)制成的光電子器件。光電子器件包括發(fā)光二極管、激光器芯片、 探測器芯片、光電耦合器等。在光通信等應(yīng)用領(lǐng)域中，光芯片位于產(chǎn)業(yè)鏈上游，是光模塊的核心元件，主要由激光器芯片和探測器芯片組成。
受益于全球數(shù)據(jù)量快速增長，光通信逐漸崛起。
在全球信息和數(shù)據(jù)互聯(lián)快速成長的背景下，終端產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量每隔幾年就實(shí)現(xiàn)翻倍增長，當(dāng)前的基礎(chǔ)電子通訊架構(gòu)漸漸無法滿足海量數(shù)據(jù)的傳輸需求，光電信息技術(shù)逐步崛起。
光通信是以光信號(hào)為信息載體，以光纖作為傳輸介質(zhì)，光芯片實(shí)現(xiàn)電光轉(zhuǎn)換，將信息以光信號(hào)的形式進(jìn)行信息傳輸?shù)南到y(tǒng)。
光通信傳輸過程中，發(fā)射端將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成激光信號(hào)，然后調(diào)制激光器發(fā)出的激光束，通過光纖傳遞，在接收端接收到激光信號(hào)后再將其轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，經(jīng)調(diào)制解調(diào)后變?yōu)樾畔ⅲ渲行枰庑酒瑏韺?shí)現(xiàn)電信號(hào)和光信號(hào)之間的相互轉(zhuǎn)換，光芯片是光電技術(shù)產(chǎn)品的核心，廣泛應(yīng)用于 5G 前傳、光接入網(wǎng)絡(luò)、城域網(wǎng)和數(shù)據(jù)中心等場景，處于光通信領(lǐng)域的金字塔尖。
光芯片可以進(jìn)一步組裝加工成光電子器件，再集成到光通信設(shè)備的收發(fā)模塊實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用。
光芯片位于光通信產(chǎn)業(yè)鏈上游，光芯片的性能決定了光模塊的傳輸速率。
從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，光芯片與電芯片、PCB、結(jié)構(gòu)件以及套管等組成了光通訊產(chǎn)業(yè)上游。
產(chǎn)業(yè)鏈中游為光器件，光器件根據(jù)組件內(nèi)部是否發(fā)生光電能量轉(zhuǎn)換可分為光無源組件和光有源組件。
光無源組件在系統(tǒng)中消耗一定能量，實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的傳導(dǎo)、分流、阻擋、過濾等交通功能，主要包含光隔離器、光分路器、光開關(guān)、光連接器、光背板。
光有源組件能夠在系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)的相互轉(zhuǎn)換，實(shí)現(xiàn)信號(hào)傳輸?shù)墓δ埽饕ü獍l(fā)射組件、光接收組件、光調(diào)制器等，光發(fā)射組件（TOSA）及光接收組件（ROSA）都由光芯片封裝而來，再將光收發(fā)組件、電芯片、結(jié)構(gòu)件等進(jìn)一步加工成光模塊。
產(chǎn)業(yè)鏈下游則為各種應(yīng)用領(lǐng)域，包括如光纖接入、4G/5G 移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)，云計(jì)算、互聯(lián)網(wǎng)廠商數(shù)據(jù)中心等。
光芯片按功能可以分為激光器芯片和探測器芯片。
激光器芯片主要用于發(fā)射信號(hào)，將電信號(hào)轉(zhuǎn)化為光信號(hào)，探測器芯片主要用于接收信號(hào)，將光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)。激光器芯片根據(jù)諧振腔制造工藝的不同可分為邊發(fā)射激光芯片（EEL）和面發(fā)射激光芯片（VCSEL）。
邊發(fā)射激光器芯片是在芯片的兩側(cè)鍍光學(xué)膜形成諧振腔，沿平行于襯底表面發(fā)射激光，而面 發(fā)射激光器芯片是在芯片的上下兩面鍍光學(xué)膜，形成諧振腔，由于光學(xué)諧振腔與襯底垂直， 能夠?qū)崿F(xiàn)垂直于芯片表面發(fā)射激光。
面發(fā)射激光器芯片有低閾值電流、穩(wěn)定單波長工作、可高頻調(diào)制、容易二維集成、沒有腔面閾值損傷、制造成本低等優(yōu)點(diǎn)，但輸出功率及電光效率較邊發(fā)射激光芯片低。面發(fā)射芯片包括 VCSEL 芯片，邊發(fā)射芯片包括 FP、DFB 和 EML 芯片；探測器芯片主要包括 PIN 和 APD 兩類。
光芯片常使用三五族化合物磷化銦（InP）和砷化鎵（GaAs）作為芯片的襯底材料。
以三五族元素的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體材料具有高頻、高低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)、電子遷移率高、光電性能好等優(yōu)點(diǎn)，符合高頻通信的特點(diǎn)，在高頻、高功耗、高壓、高溫等特殊應(yīng)用領(lǐng)域具備獨(dú)特的優(yōu)勢，因此在光通信芯片領(lǐng)域得到廣泛使用。
磷化銦（InP）襯底用于制作 FP、DFB、EML 邊發(fā)射激光器芯片和 PIN、APD 探測器芯片，主要應(yīng)用于電信、數(shù)據(jù)中心等中長距離傳輸；砷化鎵（GaAs）襯底用于制作 VCSEL 面發(fā)射激光器芯片，主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心短距離傳輸、3D 感測等領(lǐng)域。
不同光芯片的終端應(yīng)用場景廣泛。
激光器芯片，按出光結(jié)構(gòu)可分為面發(fā)射芯片和邊發(fā)射芯片，面發(fā)射芯片包括 VCSEL 芯片，邊發(fā)射芯片包括 FP、DFB 和 EML 芯片；探測器芯片主要 包括 PIN 和 APD 兩類。
根據(jù)產(chǎn)業(yè)調(diào)研，VCSEL 芯片傳輸距離較短，多用于數(shù)據(jù)中心內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸。
DFB 芯片價(jià)格適中，是目前商用最多的激光器芯片，商用速率最高 50G，價(jià)格相較 EML 更便宜。
EML 傳輸距離長，但價(jià)格較高，技術(shù)難度也較大，電路設(shè)計(jì)較繁瑣，但傳輸速度非常高。而探測器芯片技術(shù)壁壘相對(duì)較低，國內(nèi)廠商投入研發(fā)的時(shí)間相對(duì)較早。
1.2 需求端：數(shù)通和電信雙輪驅(qū)動(dòng)光芯片向上成長
數(shù)據(jù)中心和電信雙輪驅(qū)動(dòng)，預(yù)計(jì) 2025 年全球光模塊市場規(guī)模達(dá) 113 億美元，21-25 年 CAGR 達(dá) 11.3%。隨著光電子、云計(jì)算技術(shù)等不斷成熟，更多終端應(yīng)用需求不斷涌現(xiàn)，并對(duì)通信 技術(shù)提出更高的要求。
受益于全球數(shù)據(jù)中心、光纖寬帶接入以及 5G 通訊的持續(xù)發(fā)展，光模塊作為光通信產(chǎn)業(yè)鏈最為重要的器件保持持續(xù)增長。
根據(jù) LightCounting 的數(shù)據(jù)，2016 年至 2020 年，全球光模塊市場規(guī)模從 58.6 億美元成長到 66.7 億美元，2025 年全球光模塊市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到 113 億美元，21-25 年 CAGR 達(dá) 11.3%。
核心驅(qū)動(dòng)力一：數(shù)通市場持續(xù)受益于數(shù)據(jù)中心架構(gòu)升級(jí)以及國內(nèi)外互聯(lián)網(wǎng)廠商云業(yè)務(wù)相關(guān)建設(shè)持續(xù)景氣
全球數(shù)據(jù)量的指數(shù)級(jí)增長，拉動(dòng)數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、光模塊等配套需求。
根據(jù)應(yīng)用材料的數(shù)據(jù)，機(jī)器所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量在 2018 年首次超越人類所創(chuàng)造的數(shù)據(jù)量，從 2019 年，每年幾乎以倍數(shù)的幅度來增加，從 2020 年到 2025 年，全球數(shù)據(jù)增量將達(dá)到 157 Zetabytes (1 Yotabyte=1000 Zetabytes;1 Zetabyte=1000 Exabytes; 1 Exabyte=1000 Petabytes; 1 Petabyte=1000 Terabytes; 1 Terabyte=1000 Gigabytes)，5 年高達(dá) 89%的復(fù)合增速。
以這樣的速度增長，我們很快在 2028 年就會(huì)看到超過 1 Yotabyte 的數(shù)據(jù)增量。
這么龐大的數(shù)據(jù)增量，不可能用人工來處理分析，必須建設(shè)各種具備高速運(yùn)算能力的數(shù)據(jù)中心來過濾、處理分析、訓(xùn)練及推理，這將持續(xù)帶動(dòng)各類光芯片和光模塊的需求。
根據(jù) Omdia 的數(shù)據(jù)，2018 年至 2024 年全球固定網(wǎng)絡(luò)和移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)量將從 130 萬 PB 增長至 576 萬 PB，18-24 年 CAGR 達(dá) 28.7%。
全球數(shù)據(jù)中心數(shù)量不斷增加，光芯片重要性不斷凸顯，2025 年全球數(shù)據(jù)中心光模塊市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到 73 億美元，21-25 年 CAGR 達(dá) 14%。
云計(jì)算的普及推動(dòng)了數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展，全球互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)及應(yīng)用數(shù)據(jù)處理集中在數(shù)據(jù)中心進(jìn)行，使得數(shù)據(jù)流量迅速增長，數(shù)據(jù)中心的數(shù)量也快速增加。
根據(jù) Synergy Research Group 的數(shù)據(jù)，2024 年全球超大型數(shù)據(jù)中心數(shù)量將超過 1000 個(gè)。而隨著終端業(yè)務(wù)的演進(jìn)，數(shù)據(jù)中心需內(nèi)部處理的數(shù)據(jù)流量遠(yuǎn)大于需向外傳輸?shù)臄?shù)據(jù)流量，使得數(shù)據(jù)處理復(fù)雜度不斷提高。
光通信技術(shù)在數(shù)據(jù)中心內(nèi)的應(yīng)用，極大地提高了數(shù)據(jù)中心的計(jì)算能力和數(shù)據(jù)交換能力。
光模塊是數(shù)據(jù)中心內(nèi)部互連和數(shù)據(jù)中心相互連接的核心部件，根據(jù) LightCounting 的數(shù)據(jù)，2021 年全球數(shù)據(jù)中心光模塊市場規(guī)模預(yù)計(jì)為 43.8 億美元，2025 年全球數(shù)據(jù)中心光模塊市場規(guī)模預(yù)計(jì)將增長至 73.3 億美元，21-25 年 CAGR 達(dá) 14%。
數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)變革導(dǎo)致東西向流量快速增加。
數(shù)據(jù)中心內(nèi)，我們將網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)流量分成兩類：第一類是南北向流量，也就是數(shù)據(jù)中心外部用戶和內(nèi)部服務(wù)器之間交互的數(shù)據(jù)流量；第二類是東西向流量，也就是數(shù)據(jù)中心內(nèi)部交互的數(shù)據(jù)流量。傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心多承擔(dān)南北向流量的任務(wù)，完成服務(wù)器與外部終端之間的互聯(lián)任務(wù)。
但隨著數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的發(fā)展，虛擬化服務(wù)器、軟件架構(gòu)解耦、AI 和 ML 以及軟件定義網(wǎng)絡(luò)（SDN）等新業(yè)務(wù)形態(tài)的崛起，導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心的流量結(jié)構(gòu)發(fā)生了巨大變化，平級(jí)設(shè)備間的數(shù)據(jù)流動(dòng)不斷增加，也就是東西向流量不斷增加。
根據(jù) IDC 的數(shù)據(jù)，全球數(shù)據(jù)正在向核心服務(wù)器和邊緣服務(wù)器轉(zhuǎn)移。2025 年全球有將近 80% 的數(shù)據(jù)將存儲(chǔ)于核心和邊緣，較 2015 年的 35%大幅度成長。
根據(jù)思科的預(yù)測，2021 年東西向流量將占 85%，其中數(shù)據(jù)中心內(nèi)部的流量占 71.5%，數(shù)據(jù)中心之間的流量占 13.6%。
流量結(jié)構(gòu)改變驅(qū)動(dòng)葉脊式架構(gòu)漸成數(shù)據(jù)中心主流，光模塊需求量倍增。
傳統(tǒng)的大型數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)通常為三層架構(gòu)，包含核心層、匯聚層以及接入層。傳統(tǒng)的三層網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)主要基于南北向流量傳輸模型而設(shè)計(jì)，主要滿足外部對(duì)數(shù)據(jù)中心的訪問。
東西向流量的增加，給傳統(tǒng)三層式網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)帶來新的挑戰(zhàn)，因?yàn)榉?wù)器和服務(wù)器之間的通信并不能平行進(jìn)行，其數(shù)據(jù)走向必須經(jīng)過：接入層->匯聚層->核心層->匯聚層->接入層，從而給上層的核心交換機(jī)和匯聚交換機(jī)造成巨大負(fù)載。
隨著 IT 基礎(chǔ)架構(gòu)進(jìn)入云計(jì)算時(shí)代，傳統(tǒng)數(shù)據(jù)開始向云數(shù)據(jù)中心轉(zhuǎn)型，但傳統(tǒng)三層式網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)在云數(shù)據(jù)中心內(nèi)效率并不高，因?yàn)閭鹘y(tǒng)架構(gòu)中流量的處理需要經(jīng)過層層的交換機(jī)，導(dǎo)致通信時(shí)延較長，同時(shí)不同服務(wù)器之間通信路徑并不確定，從而導(dǎo)致時(shí)延的不可預(yù)測性。
通訊時(shí)延長和不可預(yù)測性對(duì)于部署在云數(shù)據(jù)中心上的大數(shù)據(jù)等業(yè)務(wù)來說是不可接受的。
因此葉脊式網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)開始興起，相較傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)的三層架構(gòu)，葉脊式網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)更加扁平化，且擴(kuò)大了接入和匯聚層，大大提高網(wǎng)絡(luò)的效率，特別是高性能計(jì)算集群或高頻流量通信設(shè)備的互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)。隨著葉脊網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)的普及，單機(jī)柜需要配置的光模塊數(shù)量也將顯著增加。
據(jù)中際旭創(chuàng)可轉(zhuǎn)換債券募集書披露，傳統(tǒng)三層式架構(gòu)光模塊相對(duì)機(jī)柜的倍數(shù)為 8.8 倍，當(dāng)數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)向葉脊式過渡后，光模塊相對(duì)機(jī)柜的倍數(shù)將成長到 46 倍。
全球上“云”，光模塊作為云 IT 基礎(chǔ)設(shè)施有望持續(xù)受益。
雖然我們看到半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷高通脹、資本開支下降、終端需求放緩等外因沖擊，但是以國內(nèi)外互聯(lián)網(wǎng)大廠為代表的 CSP 和 MDC 廠商為了滿足日益增長的云業(yè)務(wù)以及隨之產(chǎn)生的海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、運(yùn)算等需求，都加大了對(duì)數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及基礎(chǔ)網(wǎng)絡(luò)設(shè)施的投資。北美四大 CSP 廠商的業(yè)績指引中對(duì)未來 IT 基礎(chǔ)設(shè)置及服務(wù)器相關(guān)資本開支總體保持樂觀。
數(shù)據(jù)中心是云計(jì)算和云業(yè)務(wù)的基礎(chǔ)，而云 IT 基礎(chǔ)設(shè)施主要由交換機(jī)、服務(wù)器、光模塊、光纖光纜以及其他設(shè)備組成。光纖通信具有傳輸距離長、抗干擾、節(jié)省布線空間等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、交換機(jī)和存儲(chǔ)光纖網(wǎng)絡(luò)中。
光模塊作為光纖通訊的核心元件，有望持續(xù)受益于服務(wù)器市場的增長。
此外，英特爾和 AMD 有望在 2023 年推出新一代服務(wù)器平臺(tái)，大型企業(yè)都加大了在邊緣服務(wù)器、元宇宙、超級(jí)計(jì)算機(jī)以及云服務(wù)器上的投入，這些都將會(huì)成為驅(qū)動(dòng)服務(wù)器市場取得快速增長的關(guān)鍵因素。IDC 預(yù)測到 2026 年全球服務(wù)器銷售額將達(dá)到 1665 億美元，22-26 年 CAGR 達(dá) 10.2%。
核心驅(qū)動(dòng)力二：電信市場持續(xù)受益于以 5G 和千兆光網(wǎng)為代表的“雙千兆”網(wǎng)絡(luò)建設(shè)
全球 5G 移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)建設(shè)及商用化帶動(dòng)電信側(cè)高速光芯片需求增長。全球正在加快 5G 建 設(shè)進(jìn)程，5G 建設(shè)和商用化的開啟，將拉動(dòng)市場對(duì)光芯片的需求。
相比于 4G，5G 的傳輸速度更快、質(zhì)量更穩(wěn)定、傳輸更高頻，滿足數(shù)據(jù)流量大幅增長的需求，實(shí)現(xiàn)更多終端設(shè)備接入網(wǎng)絡(luò)并與人交互，豐富產(chǎn)品的應(yīng)用場景。
根據(jù) 2022 年 11 月愛立信發(fā)布的報(bào)告，全球已有 228 家供應(yīng)商推出了商用 5G 服務(wù)，預(yù)計(jì) 2022 年底全球 5G 用戶將達(dá)到 10 億，2028 年底全球 5G 用戶預(yù)計(jì)將達(dá)到 50 億，海外 5G 建設(shè)將持續(xù)加速，北美地區(qū)已進(jìn)入第二波擴(kuò)建潮，東南亞和大洋洲的 5G 建設(shè)也正在強(qiáng)勁增長。5G 移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)提供更高的傳輸速率和更低的時(shí)延，各級(jí)光傳輸節(jié)點(diǎn)間的光端口速率明顯提升，要求光模塊能夠承載更高的速率。
光模塊按應(yīng)用場景分為前傳、中回傳光模塊，前傳光模塊速率需達(dá)到 25G，中回傳光模塊速率則需達(dá)到 50G/100G/200G/400G，帶動(dòng) 25G 以及更高速率光芯片的市場需求。
根據(jù) LightCounting 的數(shù)據(jù)，全球電信側(cè)光模塊市場前傳、（中）回傳和核心波分市場需求將持續(xù)上升，2020 年全球電信側(cè)光模塊市場規(guī)模達(dá)到 21.66 億美元，其中前傳、（中）回傳和核心波分市場規(guī)模分別達(dá)到 8.21 億美元、2.61 億美元和 10.84 億美元。
2025 年全球電信側(cè)光模塊市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到 33.55 億美元，其中前傳、（中）回傳和核心波分市場規(guī)模分別達(dá)到 5.88 億美元、2.48 億美元和 25.18 億美元，21-25 年核心波分市場規(guī)模 CAGR 達(dá) 21%。
“寬帶中國”推動(dòng)光纖網(wǎng)絡(luò)建設(shè)，“銅退光進(jìn)”推動(dòng)光芯片用量提升。
FTTx 光纖接入是全球光模塊用量最多的場景之一，而我國是 FTTx 市場的主要推動(dòng)者。受制于電通信帶寬限制、損耗較大、功耗較高等因素，運(yùn)營商逐步將銅線網(wǎng)絡(luò)替換為光纖網(wǎng)絡(luò)。
目前全球運(yùn)營商骨干網(wǎng)和城域網(wǎng)已實(shí)現(xiàn)光纖化，部分地區(qū)接入網(wǎng)已逐漸向全網(wǎng)光纖化演進(jìn)。
PON 技術(shù)傳輸容量大，相對(duì)成本低，維護(hù)簡單，有很好的可靠性、穩(wěn)定性、保密性，已被證明是當(dāng)前光纖接入中非常經(jīng)濟(jì)有效的方式，是實(shí)現(xiàn) FTTx 的最佳技術(shù)方案之一，已成為光纖接入技術(shù)主流。
目前 PON 技術(shù)主要包括 APON/BPON、EPON、GPON 和 10G PON 等，當(dāng)前主流的 EPON/GPON 技術(shù)采用 1.25G/2.5G 光芯片，并逐漸向 10G 光芯片過渡。10G PON 技術(shù)支持?jǐn)?shù) 據(jù)上下傳速率對(duì)稱 10Gbps，能夠更好地滿足各類高速寬帶業(yè)務(wù)應(yīng)用的接入網(wǎng)絡(luò)需求。
根據(jù) LightCounting 的數(shù)據(jù)，2021 年 FTTx 全球光模塊市場出貨量預(yù)計(jì)為 5955 萬只，市場 規(guī)模為 5.23 億美元。
隨著新代際 PON 的應(yīng)用逐漸推廣，2025 年全球 FTTx 光模塊市場出貨量預(yù)計(jì)將達(dá)到 9208 萬只，21-25 年 CAGR 達(dá) 11.5%。
2025 年全球 FTTx 光模塊市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到 6.31 億美元，21-25 年 CAGR 達(dá) 4.81%。
高速光芯片漸成行業(yè)趨勢，市場增速遠(yuǎn)高于中低速光芯片。
隨著云計(jì)算、人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等業(yè)務(wù)的興起，數(shù)據(jù)中心趨于更高速率發(fā)展，服務(wù)器、交換機(jī)等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備也向著更高速率和更高性能發(fā)展，因此高速光模塊的需求不斷增加。
近年來，交換機(jī)互聯(lián)速率逐步由 100G 向 400G 升級(jí)，且已逐漸出現(xiàn) 800G 需求。
根據(jù)產(chǎn)業(yè)調(diào)研，目前海外的數(shù)據(jù)中心以 400G 光模塊為主，而 800G 光模塊僅有個(gè)別廠商可以做小批量供應(yīng)，2023 年下半年預(yù)計(jì)將會(huì)有 1.6T（8*200G 或 4*400G）的光模塊進(jìn)入數(shù)據(jù)中心進(jìn)行驗(yàn)證。
國內(nèi)的數(shù)據(jù)中心多以 200G 和 400G 光模塊為主，在高速光模塊的導(dǎo)入進(jìn)度上要慢于海外數(shù)據(jù)中心。
目前 10G 及以下速率的光芯片產(chǎn)品基本已經(jīng)全部實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，公司 25G 光芯片已通過大客戶認(rèn)證，未來有望配套光模塊廠商進(jìn)入國內(nèi)外數(shù)據(jù)中心。在對(duì)高速傳輸需求不斷提升背景下，25G 及以上高速率光芯片市場增長迅速。
根據(jù) Omdia 對(duì)數(shù)據(jù)中心和電信場景光芯片的預(yù)測，高速光芯片增速較快，2021-2025 年 25G 以上速率光模塊所使用的光芯片占比逐漸擴(kuò)大，整體市場空間將從 19.13 億美元增長至 43.40 億美元，21-25 年 CAGR 達(dá) 22.7%。
1.3 供給端：海外廠商先發(fā)優(yōu)勢明顯，國產(chǎn)替代進(jìn)程加速
海外光芯片廠商具備先發(fā)優(yōu)勢，國內(nèi)廠商乘國產(chǎn)替代東風(fēng)正迎頭趕上。我國光芯片產(chǎn)業(yè)參與者主要包括海外頭部光通信廠商、國內(nèi)專業(yè)光芯片廠商及國內(nèi)綜合光芯片模塊廠商。
1）海外頭部光通信廠商：三菱電機(jī)、住友電工、馬科姆（MACOM）、朗美通（Lumentum）、應(yīng)用光電（AOI）、博通（Broadcom）等；
2）國內(nèi)專業(yè)光芯片廠商：源杰科技、武漢敏芯、中科光芯、雷光科技、光安倫、云嶺光電等；
3）國內(nèi)綜合光芯片模塊廠商或擁有獨(dú)立光芯片業(yè)務(wù)板塊廠商：光迅科技、海信寬帶、索爾思、三安光電、仕佳光子等。
從競爭格局和產(chǎn)品布局看，以住友電工、馬科姆（MACOM）、博通（Broadcom）為代表的歐美日綜合光通信企業(yè)在高速率光芯片市場占據(jù)主導(dǎo)地位，而中國廠商在中低速率芯片市場占據(jù)優(yōu)勢，國產(chǎn)化率較高，但高速光芯片仍存在差距。
中低速光芯片基本實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，高速光芯片仍依賴進(jìn)口，國產(chǎn)替代空間巨大。
我國光芯片企業(yè)已基本掌握 2.5G 和 10G 光芯片的核心技術(shù)，但仍有部分性能要求高、難度大的產(chǎn)品依賴進(jìn)口，實(shí)現(xiàn)批量供貨的國內(nèi)廠商數(shù)量較少。
根據(jù) ICC 的數(shù)據(jù)，2021 年 2.5G 及以下速率光芯片國產(chǎn)化率超過 90%；2021 年 10G 光芯片國產(chǎn)化率約 60%，部分性能要求較高、難度較大的 10G 光芯片產(chǎn)品仍需進(jìn)口，如 10G VCSEL/EML 激光器芯片等，國產(chǎn)化率不到 40%；25G 及以上光芯片方面，隨著 5G 建設(shè)推進(jìn)，我國光芯片廠商在應(yīng)用于 5G 基站前傳光模塊的 25G DFB 激光器芯片有所突破，數(shù)據(jù)中心市場光模塊企業(yè)開始逐步使用國產(chǎn)廠商的 25G DFB 激光器芯片，2021 年 25G 光芯片的國產(chǎn)化率約 20%，但 25G 以上光芯片的國產(chǎn)化率僅 5%，目前仍以海外光芯片廠商為主。
公司為國內(nèi)少數(shù)能提供 25G 光芯片產(chǎn)品的廠商，未來仍將持續(xù)受益于國產(chǎn)替代帶來的份額提升。
分產(chǎn)品看，國內(nèi)廠商已掌握 2.5G 及 10G 光芯片的核心技術(shù)，同時(shí)出貨量全球占比較高。
25G 及以上高速率光芯片方面，我國國產(chǎn)化率低，受到工藝穩(wěn)定性、可靠性、供貨能力及下游客戶認(rèn)證等因素影響，我國的光模塊或光器件廠商仍然是優(yōu)先采購海外的高速率光芯片，尤其在數(shù)據(jù)中心市場及高速 EML 激光器芯片等領(lǐng)域，僅少部分廠商實(shí)現(xiàn)批量發(fā)貨。
2.5G 光芯片：2.5G 光芯片多應(yīng)用于光纖接入市場，國內(nèi)光芯片企業(yè)已基本掌握核心技術(shù)， 產(chǎn)品基本實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化。
根據(jù) ICC 的數(shù)據(jù)，2021 年全球 2.5G 及以下光芯片市場中，公司產(chǎn)品市占率約 7%。在該領(lǐng)域公司主要采取差異化的產(chǎn)品競爭策略，以附加值較高的產(chǎn)品為主。PON（GPON）數(shù)據(jù)上傳光模塊使用的 2.5G 1310nm DFB 光芯片，國產(chǎn)化程度較高，國外光芯片廠商由于成本競爭等因素，已基本退出相關(guān)市場；PON（GPON）數(shù)據(jù)下傳光模塊使用的 2.5G 1490nm DFB 光芯片由于可靠性要求高、難度大，國內(nèi)可以批量供貨的廠商較少，根據(jù) C&C 的數(shù)據(jù)，2020 年度公司占據(jù) 80%的市場份額。
相較競爭對(duì)手的同類產(chǎn)品，公司 2.5G 1490nm DFB 光芯片產(chǎn)品的性能指標(biāo)具備以下兩個(gè)優(yōu)勢：1）高溫斜效率最高，代表光電轉(zhuǎn)換效率高；2）垂直發(fā)散角最佳，代表較高的光信號(hào)耦合效率。
10G 光芯片：國內(nèi)光芯片企業(yè)已基本掌握 10G 光芯片的核心技術(shù)，但部分型號(hào)產(chǎn)品如 10G 1577nm EML 光芯片仍存在較高技術(shù)門檻，需要依賴進(jìn)口。
根據(jù) ICC 的數(shù)據(jù)，2021 年全球 10G DFB 激光器芯片市場中，公司市占率為 20%，已超過住友電工、三菱電機(jī)等海外廠商。
相較競爭對(duì)手的同類產(chǎn)品，公司 10G 1270nm DFB 光芯片產(chǎn)品的性能指標(biāo)具備以下三個(gè)優(yōu) 勢：
1）公司產(chǎn)品高溫斜效率典型值為 0.34W/A 大于住友電工；
2）公司產(chǎn)品水平與垂直發(fā)散角均較小，整體耦光效率較高；
3）公司產(chǎn)品 3dB 帶寬最小值大于 14GHz，能夠滿足下游客戶的需求。10G 光芯片主要用于光纖接入市場、移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)市場和數(shù)據(jù)中心等細(xì)分市場。
1）光纖接入市場：10G 1270nm DFB 激光器芯片主要用于 10G PON 數(shù)據(jù)上傳光模塊，根據(jù) C&C 的數(shù)據(jù)，2020 年公司在 10G PON（XGS PON）的海外出口的市占率接近 50%。
而 10G 1577nm EML 激光器芯片主要用于 10G PON 數(shù)據(jù)下傳，該產(chǎn)品設(shè)計(jì)與工藝開發(fā)復(fù)雜，國產(chǎn)化率低。
全球范圍內(nèi)僅博通（Broadcom）、住友電工、三菱電機(jī)等少數(shù)頭部廠商能夠批量供貨，國內(nèi)光芯片廠商中大客戶、海信寬帶可以實(shí)現(xiàn)部分自產(chǎn)自用。
2）移動(dòng)通訊網(wǎng)絡(luò)：4G 網(wǎng)絡(luò)主要使用 10G 光芯片，5G 網(wǎng)絡(luò)主要使用 25G 光芯片，但由于成本等因素影響，2021 年存在 5G 基站使用升級(jí)的 10G 光芯片方案。
4G 網(wǎng)絡(luò)相對(duì)成熟，10G 光芯片供應(yīng)商格局穩(wěn)定，主要為三菱電機(jī)、朗美通（Lumentum）、海信寬帶、光迅科技等。公司應(yīng)用于 5G 基站升級(jí)的 10G 光芯片已通過客戶驗(yàn)證階段并將逐步拓展相關(guān)市場。
3）數(shù)據(jù)中心：海外數(shù)據(jù)中心正在由 100G 向更高速率光模塊過渡，國內(nèi)互聯(lián)網(wǎng)公司由 40G/100G 向更高速率光模塊過渡。
其中 40G 光模塊使用 4 顆 10G DFB 光芯片方案，公司以及武漢敏芯等國內(nèi)光芯片廠商都具備相關(guān)產(chǎn)品，但是下游光模塊廠商綜合考慮替換成本、可靠性、批量出貨能力等因素，用于數(shù)據(jù)中心的 10G 光芯片的國產(chǎn)化率提升仍需要一個(gè)過程。
25G 及以上光芯片：25G 及以上光芯片包括 25G、50G、100G 激光器及探測器芯片。
根據(jù)產(chǎn)業(yè)調(diào)研，VCSEL 激光器芯片傳送距離較短，主要用于數(shù)據(jù)中心內(nèi)部互聯(lián)，目前僅博通具備可商用的單波 100G VCSEL 激光器芯片。
DFB 價(jià)格適中，商用速率最高 50G，是目前使用最多的激光器。EML 傳輸距離長，但價(jià)格較高，技術(shù)難度也較大，目前北美數(shù)據(jù)中心出貨較多的 400G 光模塊基本會(huì)使用 EML 激光器芯片。
單波 100G 的 EML 激光器芯片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商用，部分廠商單波 200G 產(chǎn)品已有樣品。根據(jù) ICC 的數(shù)據(jù)，25G 光芯片的國產(chǎn)化率約 20%，但 25G 以上光芯片的國產(chǎn)化率僅 5%。25G 光芯片國產(chǎn)化率的提升需要等待大客戶的驗(yàn)證通過后起量，一般大客戶驗(yàn)證通過后其他國內(nèi)廠商會(huì)迅速跟進(jìn)，但大客戶驗(yàn)證周期較長。目前公司的 25G 激光器芯片已經(jīng)通過大客戶驗(yàn)證，預(yù)計(jì)未來有望逐步放量。
相較競爭對(duì)手的 同類產(chǎn)品，公司 25G CWDM6 波段 DFB 光芯片產(chǎn)品的性能指標(biāo)具備以下四個(gè)優(yōu)勢：
1）公司產(chǎn)品高溫閾值電流最低；
2）公司產(chǎn)品的高溫斜效率最小值大于 0.12 W/A ，超過朗美通；
3）公司產(chǎn)品的高溫 3dB 帶寬最小值為 15GHz，優(yōu)于朗美通；
4）公司產(chǎn)品的發(fā)散角最小，耦光效率上相對(duì)較高。
25G 及以上光芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)市場和數(shù)據(jù)中心市場。
1)移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)：5G 網(wǎng)絡(luò)包括前傳、中傳和回傳等領(lǐng)域。25G 光芯片主要應(yīng)用于 5G 前傳光模塊。根據(jù) C&C 的數(shù)據(jù)，公司在 2020 年憑借 25G MWDM 12 波段 DFB 光芯片，成為 滿足中國移動(dòng)相關(guān) 5G 建設(shè)方案批量供貨的廠商。而 5G 中回傳光模塊所使用的 25G EML 光芯片，主要為三菱電機(jī)、住友電工、朗美通（Lumentum）等海外企業(yè)供應(yīng)。
2）數(shù)據(jù)中心：海外數(shù)據(jù)中心從 2020 年開始由 100G 向 200G/400G 光模塊過渡，國內(nèi)數(shù)據(jù)中心由 2022 年開始由 40G/100G 向 200G/400G 光模塊過渡。
其中，100G 光模塊需求量占比超過 60%，主要使用 4 顆 25G DFB 光芯片方案或 1 顆 50G EML（通過 PAM4 技術(shù)調(diào)制為 100G）光芯片方案;200G 及以上速率光模塊主要使用 EML 光芯片方案。
目前數(shù)據(jù)中心用光模塊所需 25G 光芯片以海外廠商為主，國內(nèi)新進(jìn)玩家逐漸增多，公司 25G DFB 光芯片已實(shí)現(xiàn)批量供貨，并用于全球知名高科技公司 G。EML 芯片設(shè)計(jì)及生產(chǎn)工藝復(fù)雜，僅海外廠商具備批量供貨能力，公司產(chǎn)品處于研發(fā)階段。
2.1 長期深耕光芯片領(lǐng)域,管理層技術(shù)背景深厚
持續(xù)深耕光芯片領(lǐng)域，多年積累建立 IDM 全流程業(yè)務(wù)體系。
源杰科技成立于 2013 年，公司自成立以來始終聚焦于光芯片行業(yè)，主營業(yè)務(wù)為光芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售，目前公司產(chǎn)品涵蓋從 2.5G 到 50G 磷化銦激光器芯片。
公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光纖到戶、數(shù)據(jù)中心與云計(jì)算、4G/5G 移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)、通信骨干網(wǎng)絡(luò)和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等終端賽道。
公司產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)向客戶 A1、海信寬帶、中際旭創(chuàng)、博創(chuàng)科技、銘普光磁等國際前十大及國內(nèi)主流光模塊廠商批量供貨，產(chǎn)品用于客戶 A、中興通訊、諾基亞等國內(nèi)外大型通訊設(shè)備商，并最終應(yīng)用于中國移動(dòng)、中國聯(lián)通、中國電信、AT&T 等國內(nèi)外知名運(yùn)營商網(wǎng)絡(luò)中。
經(jīng)過多年研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化積累，公司已建立了包含芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、芯片加工和測試的 IDM 全流程業(yè)務(wù)體系。
主要產(chǎn)品獲得行業(yè)認(rèn)可，高速激光器芯片技術(shù)先進(jìn)。
經(jīng)過多年研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化積累，公司已建立“兩大平臺(tái)”并積累“八大技術(shù)”，自主研發(fā)形成的核心技術(shù)水平先進(jìn)，主要產(chǎn)品獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可。
根據(jù) C&C 的數(shù)據(jù)，2020 年公司憑借 2.5G 1490nm DFB 光芯片，已成為客戶 A 該芯片的主要供應(yīng)商；憑借 10G 1270nm DFB 光芯片，公司在出口海外 10G-PON （XGS-PON）市場中已實(shí)現(xiàn)批量供貨；憑借 25G MWDM 12 波段 DFB 光芯片，公司成為中國移動(dòng)相關(guān) 5G 建設(shè)方案批量供貨的廠商。
2020 年在磷化銦（InP）光芯片對(duì)外銷售的國內(nèi)廠商中，公司營收排名第一，其中 10G 和 25G 光芯片的出貨量在國內(nèi)同行業(yè)公司中均排名第一，2.5G 光芯片的出貨量在國內(nèi)同行業(yè)公司中排名領(lǐng)先。
公司股權(quán)架構(gòu)穩(wěn)定,實(shí)控人 ZHANG XINGANG 擁有 37.86%控制權(quán),其他股東承諾不謀求公司 控制權(quán)。
ZHANG XINGANG 直接持有公司 16.77%的股份，并通過員工持股平臺(tái)欣芯聚源間接持有公司 2%的股份，為公司第一大股東。
張欣穎、秦衛(wèi)星、秦燕生與 ZHANG XINGANG 簽 署了《一致行動(dòng)協(xié)議》，為公司實(shí)控人的一致行動(dòng)人。
因此，ZHANG XINGANG 合計(jì)可控制公司 37.86%的股權(quán)。此外，公司其他持股 5%以上股東已出具書面協(xié)議承諾不謀求公司控制權(quán)。同時(shí)，公司在前期股權(quán)融資過程中引入了華為哈勃、先導(dǎo)光電、國投創(chuàng)投等著名投資機(jī)構(gòu)。
核心管理層技術(shù)背景深厚。董事長兼總經(jīng)理 ZHANG XINGANG 先生本科畢業(yè)于清華大學(xué)，博士畢業(yè)于南加州大學(xué)材料科學(xué)，曾先后擔(dān)任 Luminent 研發(fā)員、研發(fā)經(jīng)理，Source Photonics 研發(fā)總監(jiān)，擁有 20 多年光芯片行業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。副總經(jīng)理陳文君先生擁有華中科技大學(xué)光學(xué)工程碩士學(xué)位，曾先后擔(dān)任 Fiberxon 新產(chǎn)品導(dǎo)入工程師、RTI 高級(jí)產(chǎn)品經(jīng)理、Mellanox Technologies 亞太區(qū)市場與銷售總監(jiān)以及博創(chuàng)科技副總經(jīng)理。副總經(jīng)理潘彥廷先生擁有臺(tái)灣科技大學(xué)電子工程專業(yè)博士學(xué)位，曾擔(dān)任索爾思光電研發(fā)工程師。
2.2 縱向推動(dòng)中高端產(chǎn)品研發(fā)，橫向布局激光雷達(dá)芯片
公司主營業(yè)務(wù)聚焦光芯片，主要產(chǎn)品包括 2.5G、10G、25G 及更高速率激光器芯片。光芯 片為光電轉(zhuǎn)換的核心組件，激光器芯片主要作用是將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，為光接收組件 （ROSA）的核心部件；探測器芯片主要將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，為光發(fā)射組件（TOSA）的核心部件。
公司自成立以來始終聚焦光芯片行業(yè)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光纖接入、4G/5G 移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，公司更基于已有技術(shù)基礎(chǔ)上加大產(chǎn)品延伸力度，進(jìn)行高功率硅光激光器、激光雷達(dá)光源、激光雷達(dá)接收器等新應(yīng)用的開發(fā)。
公司持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，中端產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)放量。
2019 年公司主營產(chǎn)品以 2.5G 光芯片為主，2020 年公司 25G 光芯片產(chǎn)品入選 5G 建設(shè)方案，當(dāng)年度該產(chǎn)品營收實(shí)現(xiàn)放量，2021 年至今 5G 建設(shè)方案調(diào)整影響 25G 光芯片出貨量，但光纖接入市場需求持續(xù)旺盛，帶動(dòng)中端 10G 光芯片產(chǎn)品持續(xù)放量。
2019-1H22 的營收中 2.5G 光芯片占比分別為 85%、36%、43%和 43%，占比逐步下降；10G 光芯片的營收占比分別為 14%、21%、42%和 46%，占比逐步提高，產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)放量；受到 5G 建設(shè)方案調(diào)整的影響，25G 光芯片營收有所波動(dòng)，占比分別為 1%、43%、16%和 11%。
近年來，公司在穩(wěn)步提升 2.5G 光芯片營收的同時(shí)，持續(xù)推動(dòng)產(chǎn)品組合高端化，持續(xù)布局 25G 及更高速率光芯片，隨著下游光模塊廠商向著 200G/400G/800G 更高速率發(fā)展，公司中高端光芯片的占比有望繼續(xù)提升。
核心業(yè)務(wù)一：2.5G 光芯片。
2.5G 光芯片主要用于光纖接入市場，產(chǎn)品技術(shù)相對(duì)成熟。
國內(nèi)光芯片企業(yè)已基本掌握其核心技術(shù)，產(chǎn)品基本實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，導(dǎo)致市場競爭相對(duì)激烈。公 司在此領(lǐng)域中實(shí)行產(chǎn)品差異化競爭策略，以銷售可靠性要求較高、難度大的產(chǎn)品為主，如 PON（GPON）數(shù)據(jù)下傳光模塊使用的 2.5G 1490nm DFB 光芯片。
根據(jù) C&C 的數(shù)據(jù)，2020 年公司在該產(chǎn)品中的市占率約 80%。2.5G 光芯片是公司的主要收入來源之一，受益于新一代基于 10G-PON（XG-PON）的千兆光纖網(wǎng)絡(luò)升級(jí)，國內(nèi)外光纖接入市場需求持續(xù)釋放，該產(chǎn)品營收規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)定增長態(tài)勢，但營收增速略有下滑，而營收占比由于 10G 和 25G 產(chǎn)品的放量而逐年下降。
核心業(yè)務(wù)二：10G 光芯片。
10G 光芯片主要用于光纖接入市場、移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)市場和數(shù)據(jù)中心市場。
目前 10G 光芯片國產(chǎn)化率約 60%，但部分技術(shù)門檻較高的產(chǎn)品如 10G 1270nm DFB 光芯片仍依賴進(jìn)口。
根據(jù) ICC 的數(shù)據(jù)，2021 年公司 10G DFB 光芯片出貨量占全球的 20%，已超過住友電工、三菱電機(jī)等海外廠商。2020 年，公司 10G 1270nm DFB 光芯片在出口海外 10G-PON(XGS-PON)的市場已能實(shí)現(xiàn)批量供貨，帶動(dòng)該產(chǎn)品的營收較大幅度增長。
公司的 10G 1310nm DFB 光芯片憑借高可靠性及高性價(jià)比等優(yōu)勢，已實(shí)現(xiàn)對(duì)移動(dòng)通信市場 的大批量供貨。2022 年上半年 10G-PON(XGS-PON)市場需求持續(xù)旺盛，帶動(dòng)公司產(chǎn)品進(jìn)一 步放量。2022 年上半年 10G 光芯片產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)營收 0.56 億元，同比增加 93%，仍保持著前 兩年的高增速。
核心業(yè)務(wù)三：25G 光芯片。
25G 光芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)市場和數(shù)據(jù)中心市場。
2019- 1H22 公司 25G 光芯片營收波動(dòng)較大，主要原因?yàn)椋?019 年公司 25G 產(chǎn)品尚處于研發(fā)及客戶認(rèn)證階段，營收貢獻(xiàn)較小。
2020 年國內(nèi) 5G 基站進(jìn)入大規(guī)模部署階段，帶動(dòng) 5G 前傳用 25G 光芯片需求量提升，公司 25G MWDM 12 波段 DFB 光芯片入選中國移動(dòng) 5G 建設(shè)方案，因此當(dāng)年度 25G 光芯片實(shí)現(xiàn)放量。
2021 年雖然數(shù)據(jù)中心的高速發(fā)展帶動(dòng)公司的 25G CWDM 4 波段 DFB 光芯片出貨量上升，但 5G 基站建設(shè)方案調(diào)整導(dǎo)致市場需求下降，疊加 2021 年 25G 光芯片 ASP 同比下降 25%，公司 25G 光芯片營收較上年度有所下降。
公司在現(xiàn)有的光通信領(lǐng)域中繼續(xù)縱向深耕，推出更高速率的激光器芯片產(chǎn)品；在橫向發(fā)展方面，不斷擴(kuò)充光芯片新的應(yīng)用場景，積極向激光雷達(dá)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域布局探索。
公司已有 1550nm 車載激光雷達(dá)激光器芯片布局，并與部分激光雷達(dá)廠商達(dá)成合作意向，實(shí)現(xiàn)激光雷達(dá)領(lǐng)域光芯片少量送樣。
激光器芯片為激光雷達(dá)的核心組件之一，公司已有 1550nm 激光器芯片產(chǎn)品布局。激光雷達(dá)通常由發(fā)射單元、接收單元、控制單元以及信號(hào)處理單元組成。
在激光雷達(dá)中，激光器芯片作為光源將會(huì)發(fā)射激光脈沖，激光調(diào)制器通過光束控制器控制發(fā)射激光的方向和線數(shù)，最后通過發(fā)射光學(xué)系統(tǒng)，將激光發(fā)射至目標(biāo)物體。
隨后，接收芯片接收到返回的信號(hào)，通過激光雷達(dá)中的計(jì)算機(jī)處理相位、頻率、偏振以及振幅等各類參數(shù)來生成所需要的信息。
自動(dòng)駕駛技術(shù)的發(fā)展，推動(dòng)激光雷達(dá)市場規(guī)模逐年成長。
根據(jù) Yole 的數(shù)據(jù)，2021 年全球激光雷達(dá)市場規(guī)模 21 億美元，2027 年激光雷達(dá)市場規(guī)模有望成長到 63 億美元，22-27 年 CAGR 達(dá) 22%。
其中 ADAS 將成為主要增長驅(qū)動(dòng)力，2021 年全球 ADAS 用激光雷達(dá)市場規(guī)模 僅 3800 萬美元，2027 年市場規(guī)模有望成長到 20 億美元，22-27 年 CAGR 達(dá) 73%。
激光雷達(dá)國內(nèi)玩家眾多，公司有望持續(xù)受益于國產(chǎn)份額的提升。
全球激光雷達(dá)行業(yè)匯聚了法雷奧、速騰聚創(chuàng)、Luminar、Livox、電裝、大陸、賽瞳、Innoviz、華為、禾賽科技等眾多國內(nèi)外玩家。
2021 年法雷奧市占率 28%，速騰聚創(chuàng)市占率 10%，位列前兩名。除此之外，激光雷達(dá)行業(yè)總體競爭格局分散，國內(nèi)廠商較多，且占據(jù)一定市場空間。
未來公司激光器芯片有望打入國內(nèi)廠商供應(yīng)鏈，隨著國產(chǎn)激光雷達(dá)的市占率提升而實(shí)現(xiàn)營收成長。
2.3 公司主營收入有所波動(dòng)，毛利率領(lǐng)先行業(yè)平均水平
公司營業(yè)收入及歸母凈利潤有所波動(dòng)。公司 2019-2022Q3 營業(yè)收入為 8,131 萬元、23,337 萬元、23,211 萬元和 19,344 萬元，同比增長 15%、187%、-1%和 26%。
公司 2019-2022Q3 歸母凈利潤為 1,321 萬元、7,884 萬元、9,529 萬元和 7,392 萬元，同比增長-15%、497%、21%和 23%。
2020 年公司營收快速增加系當(dāng)年國內(nèi) 5G 基站進(jìn)入大規(guī)模部署階段，對(duì) 25G 光芯片的需求量大幅增加，25G 光芯片大量出貨為公司貢獻(xiàn)較多營收。
2021 年 5G 基站建設(shè)方案調(diào)整，導(dǎo)致 25G 光芯片需求量和價(jià)格回落，但國內(nèi)光纖接入市場開始持續(xù)放量，公司 10G 光芯片營收大幅度增加，使得公司 2021 年總營收較上一年度基本持平。
2022 年上半年，公司所處下游賽道的市場競爭略有緩和，公司主要產(chǎn)品的平均售價(jià)較上年度變動(dòng)不大,2022 年前三季度營收和歸母凈利潤同比增速恢復(fù)穩(wěn)健成長。
公司在可比公司中的營收規(guī)模偏小，但營收增速在行業(yè)內(nèi)靠前。
海外光通信產(chǎn)業(yè)發(fā)展起步較早，技術(shù)儲(chǔ)備和專利數(shù)量豐富,海外領(lǐng)先廠商能夠覆蓋光芯片至光模塊全產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現(xiàn)光芯片產(chǎn)業(yè)鏈的垂直一體化且具備高端外延片生產(chǎn)能力。
國內(nèi)光通信產(chǎn)業(yè)仍處于發(fā)展階段，光芯片相關(guān)公司上市較少,公司為 A 股稀缺的光芯片 IDM 廠商。
從業(yè)務(wù)體量上看，除了與公司主營業(yè)務(wù)較接近的海外廠商馬科姆營收超 30 億元外，其他可比公司的營收規(guī)模都不足 10 億。公司 2022 年前三季度實(shí)現(xiàn)營收 1.93 億，同比增長 26%。
公司在可比公司中營收規(guī)模偏小,近幾年?duì)I收增速在可比公司排名靠前,未來營收規(guī)模差距有望逐漸縮小。
公司毛利率位于行業(yè)領(lǐng)先水平。
公司2019-2022年前三季度毛利率為45%、68%、65%和63%，其中 10G、25G 光芯片毛利率相對(duì)較高。
公司毛利率自 2020 年以來始終呈現(xiàn)下降趨勢，主要原因系終端光模塊廠家每年甚至每半年都會(huì)對(duì)供應(yīng)商有降價(jià)需求，從而對(duì)光芯片供應(yīng)商的出貨價(jià)格造成壓力。
光芯片經(jīng)過幾年的降價(jià)后，降價(jià)幅度會(huì)逐步減少，直到價(jià)格維持相對(duì)穩(wěn)定。2020 年恰逢公司 10G 和 25G 光芯片同步放量，新產(chǎn)品的高單價(jià)使公司毛利率達(dá)到高點(diǎn)，隨后產(chǎn)品單價(jià)開始下跌，導(dǎo)致公司毛利率同步下滑。
我們預(yù)期公司的主營產(chǎn)品經(jīng)過兩年的降價(jià)后，未來毛利率將繼續(xù)小幅下滑，但是下降幅度將會(huì)收斂。同期，可比公司的平均毛利率為 39%、40%、44%和 42%，公司毛利率領(lǐng)先行業(yè)平均水平。
主要受益于國內(nèi) 5G 建設(shè)的先發(fā)優(yōu)勢，公司 25G 產(chǎn)品在國內(nèi)較早入選 5G 建設(shè)方案，拉高了公司毛利率。同時(shí)公司位于產(chǎn)業(yè)鏈中游，光芯片相較于可比公司中的下游器件及模塊產(chǎn)品毛利率更高。
公司研發(fā)費(fèi)用率低于行業(yè)平均水平。
2019-2022 年前三季度公司研發(fā)費(fèi)用率為 14%、7%、8%和 9%，同期可比公司的平均研發(fā)費(fèi)用率為 21%、16%、14%和 16%。
公司研發(fā)費(fèi)用率低于同行業(yè)可比公司的平均水平，主要原因?yàn)楣咀猿闪⒁詠硪恢敝铝τ诠庑酒拈_發(fā)，形成了較多技術(shù)儲(chǔ)，且公司主要以 IDM 模式經(jīng)營，在自有產(chǎn)線上進(jìn)行工藝研發(fā)的成本小于委外研發(fā)，因此導(dǎo)致公司研發(fā)費(fèi)用率偏低。
公司費(fèi)用管控總體良好，規(guī)模效應(yīng)凸顯后費(fèi)用率有望下降。除研發(fā)費(fèi)用外，公司銷售費(fèi)用和管理費(fèi)用總體管控良好。
2020 年管理費(fèi)用增長較多主要系員工股權(quán)激勵(lì)計(jì)劃造成計(jì)提 2,667 萬元股份支付費(fèi)用，且當(dāng)年公司為籌劃上市聘請(qǐng)中介機(jī)構(gòu)支付其咨詢服務(wù)費(fèi)用和上市相關(guān)服務(wù)費(fèi)。我們認(rèn)為隨著公司營收規(guī)模的擴(kuò)大，未來費(fèi)用率有望下降。
3.1 公司具備全流程 IDM 模式，助力公司降本增效
根據(jù)經(jīng)營模式不同，可將芯片設(shè)計(jì)企業(yè)分為 IDM、Fabless、Foundry 三種。
在 IDM （Integrated Device Manufacture 垂直整合制造）經(jīng)營模式下，廠商獨(dú)立進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試環(huán)節(jié)，并將生產(chǎn)出 IC 產(chǎn)品進(jìn)行銷售。
采用 Fabless（無工廠芯片供應(yīng)商）經(jīng)營模式的企業(yè)只專注于產(chǎn)品設(shè)計(jì)及最終銷售，將晶圓制造、封裝測試環(huán)節(jié)全面委托給代工廠進(jìn)行。在 Foundry（代工廠）經(jīng)營模式下，廠商只負(fù)責(zé)制造、封裝或測試的其中一個(gè)環(huán)節(jié)，不負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)。
IDM 經(jīng)營模式更為可控靈活，龍頭廠商多采用 IDM 經(jīng)營模式；對(duì)于新進(jìn)入的企業(yè)多采用 Fabless 經(jīng)營模式，可以減少生產(chǎn)設(shè)備、工藝等方面帶來的大規(guī)模資本投入。
公司已建立激光器芯片生產(chǎn)全流程 IDM 模式。
公司聚焦激光器芯片行業(yè)十年，已掌握從技術(shù)設(shè)計(jì)到生產(chǎn)制造的各個(gè)環(huán)節(jié)，建立了 IDM 全流程業(yè)務(wù)體系，擁有多條覆蓋 MOCVD 外延生長、光柵工藝、光波導(dǎo)制作、金屬化工藝、端面鍍膜、自動(dòng)化芯片測試、芯片高頻測試、可靠性測試驗(yàn)證等全流程自主可控的生產(chǎn)線。
IDM 模式更有利于公司各環(huán)節(jié)的自主可控，為公司降本增效。
在 IDM 模式下，公司能夠快速將公司技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造結(jié)合，及時(shí)根據(jù)市場需求變化進(jìn)行產(chǎn)品迭代更新，調(diào)整工藝參數(shù)和生產(chǎn)計(jì)劃與方案，提高公司在產(chǎn)品、生產(chǎn)成本和響應(yīng)速度上的競爭力，滿足客戶多樣性的需求，并能在全流程中保證芯片的生產(chǎn)良率，提高產(chǎn)品可靠性，合理安排工期，保證穩(wěn)定的交付，有效保護(hù)產(chǎn)品設(shè)計(jì)與生產(chǎn)中的知識(shí)產(chǎn)權(quán)和供應(yīng)鏈安全。
光芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)與工藝要求較為復(fù)雜。
主要包括芯片設(shè)計(jì)、基板制造/襯底、磊晶生長/外延片、晶粒制造以及封裝測試五大環(huán)節(jié)。我國多數(shù)企業(yè)集中在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，能夠根據(jù)芯片功能需求，按照規(guī)格制定、邏輯合成、電路布局的步驟設(shè)計(jì)光電線路圖，但不具備生產(chǎn)制造能力。
基板制造/襯底環(huán)節(jié)主要指將 InP/GaAs 等材料經(jīng)提純、拉晶、切割、拋光、研磨制成單晶體基板/襯底，其技術(shù)關(guān)鍵是提純。磊晶生長/外延片環(huán)節(jié)是將基板/襯底通過氣相外延、液相外延、分子束外延等設(shè)備生長晶體，控制晶體的摻雜濃度、沉積厚度等制成外延片的環(huán)節(jié)。
晶粒制造環(huán)節(jié)和封裝測試環(huán)節(jié)將對(duì)外延片進(jìn)行掩膜、光刻、刻蝕等步驟的處理，并進(jìn)行切割、封裝形成性能完備的芯片，最后對(duì)其特性、質(zhì)量進(jìn)行測試等。
光芯片產(chǎn)品指標(biāo)多樣，可靠性驗(yàn)證耗時(shí)較長。
光芯片產(chǎn)品下游客戶主要為運(yùn)營商及互聯(lián)網(wǎng)廠商，可能包含一些環(huán)境惡劣的應(yīng)用場景，因此更重視產(chǎn)品長期使用的可靠性，對(duì)產(chǎn)品指標(biāo)要求多樣，需要進(jìn)行高溫大電流長時(shí)間老化測試、高低溫溫循驗(yàn)證、高溫高濕環(huán)境驗(yàn)證等，驗(yàn)證周期通常需要超過二至三個(gè)季度。
IDM 模式下，公司可以針對(duì)驗(yàn)證中出現(xiàn)的問題及時(shí)排查調(diào)整，提高生產(chǎn)效率。
高速率光芯片對(duì) MOCVD 工藝要求更為嚴(yán)格。以 25G DFB 光芯片為例，主要涉及到的工藝有量子阱外延層、光柵結(jié)構(gòu)、模斑轉(zhuǎn)換器、光波導(dǎo)、注入電流限制結(jié)構(gòu)、減薄與高頻電極的 設(shè)計(jì)和制造、巴條解理的工藝制造與光學(xué)端面鍍膜的設(shè)計(jì)和制造、芯片切割的工藝制造。
其中，25G DFB 激光器芯片的有源區(qū)量子阱層數(shù)較中低速率激光器芯片超過 50%，要求對(duì) 每層量子阱實(shí)現(xiàn)埃米級(jí)（0.1nm）控制，厚度精度誤差小于 0.2nm,以保證其光電轉(zhuǎn)化效率與高速性能，對(duì) MOCVD 工藝要求更為嚴(yán)格。
公司已掌握 MOCVD 設(shè)備和相關(guān)工藝技術(shù),能夠自主生產(chǎn)晶圓量子阱外延，實(shí)現(xiàn)對(duì)量子阱的埃米級(jí)（0.1nm）精度控制，材料組份精度誤差小于 0.1%，量子阱應(yīng)力精度誤差小于 0.2%。
3.2 公司技術(shù)國內(nèi)領(lǐng)先，形成兩大平臺(tái)、八大技術(shù)
公司針對(duì)產(chǎn)品特性，建立兩大制造平臺(tái)。
根據(jù)產(chǎn)品特點(diǎn)及性能指標(biāo)，公司已建立“掩埋型激光器芯片制造平臺(tái)”和“脊波導(dǎo)型激光器芯片制造平臺(tái)”兩大平臺(tái)。
其中，掩埋型結(jié)構(gòu)要求成熟的晶圓外延與刻蝕技術(shù)，該結(jié)構(gòu)產(chǎn)品具有更好的高電光轉(zhuǎn)化效率，滿足低功耗、大功率激光器芯片的需求，如公司主要產(chǎn)品之一的大功率 2.5G 激光器芯片。
脊波導(dǎo)型結(jié)構(gòu)適用于 10G、25G 以及更高速激光器芯片，要求精確控制脊波導(dǎo)尺寸以保證電注入效率與產(chǎn)品高速性能。
公司兩大平臺(tái)工藝領(lǐng)先，技術(shù)積累豐富。
公司“掩埋型激光器芯片制造平臺(tái)”成功開發(fā) 70mW 大功率激光器芯片將成為應(yīng)對(duì)滿足未來硅光趨勢的產(chǎn)品，且平臺(tái)已積累（1）晶圓的量子阱外延技術(shù)；（2）晶圓的電流阻擋層外延技術(shù)；（3）晶圓的臺(tái)階刻蝕技術(shù)；（4）晶圓的低缺陷多次外延技術(shù)；（5）完整的可靠性驗(yàn)證與測試。
此外，公司“脊波導(dǎo)型激光器芯片制造平臺(tái)”能夠穩(wěn)定完成制作低缺陷的脊波導(dǎo)型激光器芯片，已積累（1）高精度電子束光柵曝光系統(tǒng)的生產(chǎn)工藝；（2）高精度低缺陷脊波導(dǎo)刻蝕工藝；（3）針對(duì)不同應(yīng)用的異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)技術(shù)；（4）脊波導(dǎo)激光器芯片的可靠性與高頻驗(yàn)證體系。
八大技術(shù)助力公司產(chǎn)品建立性能與成本優(yōu)勢。
為實(shí)現(xiàn)激光器芯片的性能優(yōu)化及成本降低，公司已掌握八大核心技術(shù)。
異質(zhì)化合物半導(dǎo)體材料對(duì)接生長技術(shù)，大功率激光器芯片技術(shù)，高速調(diào)制激光器芯片技術(shù)，非氣密應(yīng)用芯片結(jié)構(gòu)技術(shù)，抗反射技術(shù)，電吸收調(diào)制器集成技術(shù)，相移光柵技術(shù)。
公司核心技術(shù)能在優(yōu)化產(chǎn)品性能方面，提升激光器芯片在高速調(diào)制、高可靠性、高信噪比、高電光轉(zhuǎn)換等方面的性能；降低產(chǎn)品成本方面，可提高激光器芯片的良率，并簡化對(duì)其他器件的需求。
公司中高端產(chǎn)品在相移光柵技術(shù)的基礎(chǔ)上使用較為先進(jìn)的電子束光柵工藝及。
DFB 激光器芯片在普通激光芯片的基礎(chǔ)上，通過增加一層特殊設(shè)計(jì)制造的布拉格光柵層，使得發(fā)射光子的波長高度一致，能量更為集中，因此光柵工藝對(duì)激光器芯片的性能影響尤為關(guān)鍵。
利用電子束制成掩膜圖形的工藝較全息光柵工藝控制精度更高，并且能構(gòu)建非等周期光柵結(jié) 構(gòu)，在光功率、單模良率、極限工作溫度、高頻特性等指標(biāo)具有明顯優(yōu)勢。
公司除在部分低速率 2.5G 激光器芯片制造中使用全息光柵工藝，其他激光器芯片均采用先進(jìn)的電子束光柵工藝。
3.3 公司擴(kuò)產(chǎn)中高端產(chǎn)品，持續(xù)加碼高端光芯片
公司 IPO 募投項(xiàng)目擴(kuò)產(chǎn)中高端產(chǎn)品，并繼續(xù)投入高速光芯片研發(fā)。
2022 年 12 月，公司以每股 100.66 元的價(jià)格公開發(fā)行 1500 萬股，發(fā)行后公司總股本為 6000 萬股。
本次 IPO 募集總金額 15.1 億，其中 9.8 億計(jì)劃用于 10G 和 25G 光芯片產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、50G 光芯片產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動(dòng)資金，其余為超募資金。
公司 50G 光芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目推進(jìn),有助于鞏固公司行業(yè)地位。
目前國內(nèi)具備 50G 高速光芯片產(chǎn)品量產(chǎn)能力的公司較少，公司“50G 光芯片產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目”計(jì)劃總投資 1.29 億元，將在公司自有土地上建立 50G 光芯片產(chǎn)線，2 年內(nèi)完成產(chǎn)線建設(shè)，有利于公司搶占國內(nèi)高速光芯片市場先機(jī)，順應(yīng)高性能光芯片的國產(chǎn)替代化趨勢，鞏固公司行業(yè)地位，拓展高端產(chǎn)品市場。
公司研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目進(jìn)一步提升公司研發(fā)水平。
公司將對(duì)現(xiàn)有研發(fā)中心進(jìn)行升級(jí)，布局高功率硅光激光器、激光雷達(dá)光源、激光雷達(dá)接收器等方向，加碼研發(fā)高速率光芯片、硅光激光器芯片，保持公司產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)性。
另外，公司擬通過建設(shè)項(xiàng)目購置先進(jìn)的電子束曝光系統(tǒng)、金屬有機(jī)氣相外延爐、高精度光刻機(jī)等生產(chǎn)設(shè)備和芯片光電測試系統(tǒng)、高頻測試系統(tǒng)等檢測設(shè)備及設(shè)計(jì)開發(fā)軟件，有助于進(jìn)一步提升研發(fā)設(shè)施和改善研發(fā)環(huán)境，提升其產(chǎn)品競爭力。
公司在研項(xiàng)目布局硅光及高速率光芯片，助力公司高端產(chǎn)品迭代更新。公司高端產(chǎn)品已有 50G DFB 激光器芯片及大功率系列激光器芯片，在國內(nèi)高端激光器芯片具有一定先發(fā)優(yōu)勢。
目前公司 100G EML 激光器開發(fā)、大功率 EML 光芯片的集成工藝開發(fā)已進(jìn)入工程驗(yàn)證階段，仍有 50G 及以下、100G 光芯片的可靠性機(jī)理研究，工業(yè)級(jí) 50mW/70mW 大功率硅光激光器開發(fā)，1550 波段車載激光雷達(dá)激光器芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證測試階段，有助于公司及時(shí)進(jìn)行高端產(chǎn)品的迭代更新。
4.1 盈利預(yù)測
2.5G 光芯片：主要用于光纖接入市場，產(chǎn)品技術(shù)相對(duì)成熟，國產(chǎn)化程度高，國內(nèi)光芯片企 業(yè)已基本實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化。
公司在此領(lǐng)域中實(shí)行產(chǎn)品差異化競爭策略，以可靠性要求較高、難度大的產(chǎn)品為主。
2019-1H22 公司 2.5G 光芯片產(chǎn)品營收分別為 6,898 萬元、8,425 萬元、9,925 萬元和 5,288 萬元，同比增長 8%、22%、18%和 14%。
2019-2021 年，公司直接受益于寬帶中國戰(zhàn)略推動(dòng)下的光纖到戶覆蓋率提高以及基于 10G-PON 技術(shù)的千兆光纖網(wǎng)絡(luò)升級(jí)，同時(shí)憑借著高性能指標(biāo)、高可靠性等優(yōu)異的產(chǎn)品特性和 IDM 模式帶來的低成本優(yōu)勢，在競爭加劇的 2.5G 光芯片市場保持著較高的出貨量。
2021 年以來，國內(nèi)外光纖接入市場的需求持續(xù)釋放，公司 2.5G 光芯片出貨量保持較快的增速，該產(chǎn)品的售價(jià)仍將持續(xù)下降，但下降空間有限，因此該產(chǎn)品營收將保持小幅增長趨勢。我們預(yù)計(jì) 22-24 年 2.5G 光芯片的收入增速分別為 5%、12%和 16%。
毛利率方面，預(yù)計(jì) 22-24 年 2.5G 光芯片毛利率分別為 49.2%、50.3%、51.3%，主要在于：公司 2.5G 光芯片為公司主力產(chǎn)品，商用化已有一段時(shí)間，未來平均售價(jià)下降幅度有限，但規(guī)模效應(yīng)使得單位成本仍在持續(xù)下降，使得該產(chǎn)品毛利率水平略有提高。
因?yàn)槲覀冾A(yù)計(jì) 22-24 年該塊業(yè)務(wù)毛利率相較 2021 年有望小幅上升。
10G 光芯片：主要用于光纖接入市場、移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)市場和數(shù)據(jù)中心市場。
目前國內(nèi)光芯片企業(yè)已基本掌握 10G 光芯片核心技術(shù)，但部分技術(shù)門檻較高的產(chǎn)品如 10G 1577nm EML 光芯片仍依賴進(jìn)口。
2021 年公司在 10G 光芯片領(lǐng)域出貨量占比約 20%，已超過住友電工、三菱電機(jī)等海外廠商。
2019-1H22 公司 10G 激光器芯片營收分別為 1,156 萬元、4,854 萬 元、9,646 萬元和 5,593 萬元，同比增長 82%、320%、99%和 92%，在營收中的占比為 14%、21%、42%和 46%，營收維持高增速，占比呈現(xiàn)上升趨勢。
2021 年以來，光纖接入中的 10G-PON（XGS PON）市場繼續(xù)保持旺盛的需求，公司 10G 光芯片的營收保持高增速。
公司產(chǎn)品份額持續(xù)提升，實(shí)現(xiàn)對(duì)進(jìn)口產(chǎn)品的替代，帶動(dòng) 10G 光芯片營收大幅度增加，因此 我們預(yù)計(jì) 22-24 年 10G 光芯片的收入增速分別為 26%、57%和 42%。
毛利率方面，預(yù)計(jì) 22-24 年 10G 光芯片毛利率分別為 66.2%、62.3%、60.8%，主要在于： 2022 年以來，公司 10G 光芯片的產(chǎn)品組合發(fā)生變化，TO 形態(tài)產(chǎn)品占比逐步提高，平均單 位成本增加，疊加產(chǎn)品售價(jià)仍有下降空間。因?yàn)槲覀冾A(yù)計(jì)該塊業(yè)務(wù)毛利率未來呈下降趨勢。
25G 光芯片：主要用于移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)市場和數(shù)據(jù)中心市場。2019-1H22 公司 25G 光芯片營 收分別為 69 萬元、10,057 萬元、3,626 萬元和 1,339 萬元。
根據(jù)愛立信的數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì) 2022 年底全球 5G 用戶將達(dá)到 10 億，2028 年底全球 5G 用戶有望達(dá)到 50 億，海外 5G 滲透率仍有較大提升空間。我們看好海外 5G 建設(shè)將持續(xù)加速，北美地區(qū)已進(jìn)入第二波擴(kuò)建潮，東南亞和大洋洲的 5G 建設(shè)也正在強(qiáng)勁增長。因此，我們預(yù)計(jì) 22-24 年 25G 光芯片的收入增速分別為 10、49%和 55%。
毛利率方面，預(yù)計(jì) 22-24 年 25G 光芯片毛利率分別為 78.8%、73.7%、71.0%，主要在于：
1）同一大類產(chǎn)品結(jié)構(gòu)發(fā)生轉(zhuǎn)換，早期 25G 光芯片多出貨給 5G 基站建設(shè)，25G CWDM6/LWDM 12/MWDM 12 波段 DFB 光芯片相對(duì)售價(jià)較高。而隨著 5G 建設(shè)的調(diào)整，數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)的崛起，公司銷售給數(shù)據(jù)中心的 25G CWDM 4 波段 DFB 光芯片定價(jià)較低，拉低 25G 光芯片平均售價(jià)。
2）2022 年，受自產(chǎn)封裝占比提升影響，25G 光芯片的平均單位成本同比增加，導(dǎo)致毛利 率下降。
費(fèi)用率假設(shè)：隨著收入規(guī)模的逐步增長，規(guī)模效應(yīng)逐漸顯現(xiàn)，2019-2021年公司研發(fā)費(fèi)用率、銷售費(fèi)用率、管理費(fèi)用率逐步下降，但由于光芯片行業(yè)對(duì)優(yōu)秀人才的需求大以及對(duì)優(yōu)秀在職工程師的穩(wěn)定性要求高，且海外可比公司在高速率光芯片上仍具備領(lǐng)先優(yōu)勢等特點(diǎn)。
公司作為創(chuàng)新技術(shù)驅(qū)動(dòng)型企業(yè)，通過持續(xù)加大研發(fā)投入進(jìn)一步拓展公司高端產(chǎn)品，來提升公司產(chǎn)品的技術(shù)水平，因此我們預(yù)計(jì)未來 3 年研發(fā)費(fèi)用率逐步提升；預(yù)計(jì)未來兩年公司將加大市場拓展銷售率保持穩(wěn)定。因此，我們預(yù)計(jì) 22-24 年公司整體費(fèi)用率將呈逐年下降趨勢。
綜上，我們預(yù)計(jì)公司 2022-2024 年?duì)I收為 2.66 億元、3.75 億元和 5.24 億元，歸母凈利潤分別為 1.06 億元、1.60 億元和 2.20 億元。
4.2 估值
預(yù)計(jì)公司 2022-2024 年凈利潤為 1.06 億元、1.60 億元和 2.20 億元，對(duì)應(yīng) EPS 為 1.76 元、 2.67 元和 3.66 元，對(duì)應(yīng) PE 為 68x、45x 和 33x。
我們選取長光華芯、仕佳光子和中際旭創(chuàng) 3 家可比公司對(duì)公司進(jìn)行估值。公司作為 A 股稀缺的光芯片龍頭，持續(xù)推動(dòng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)，同時(shí)受益于海內(nèi)外光纖接入和數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展，帶動(dòng)公司中高速率光芯片的放量。
給予 2023 年 65 倍估值，市值 104.1 億元，目標(biāo)價(jià) 173.52 元。
下游需求不及預(yù)期：
公司產(chǎn)品面向光纖接入、移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心等客戶，光芯片行業(yè)作為光通信產(chǎn)業(yè)鏈的上游，易受下游電信市場及數(shù)據(jù)中心市場需求變化影響。如果未來下游市場景氣度下滑，導(dǎo)致主要客戶的需求大幅下降，存在需求不及預(yù)期以及營收下滑的風(fēng)險(xiǎn)。
產(chǎn)品迭代不及預(yù)期：
公司所處光芯片領(lǐng)域，終端產(chǎn)品光模塊迭代速度快，目前已向 400G/800G 乃至更高速率發(fā)展，海外光芯片廠商持續(xù)加大研發(fā)投入，行業(yè)競爭日益激烈，如果公司產(chǎn)品組合無法持續(xù)迭代，可能會(huì)對(duì)公司進(jìn)一步發(fā)展造成影響。
財(cái)務(wù)投資者減持風(fēng)險(xiǎn)：
公司在 IPO 前引入了多位外部投資者，上述投資者可能在上市后減持公司股票，可能對(duì)公司未來經(jīng)營情況產(chǎn)生不利影響。
股票解禁風(fēng)險(xiǎn)。
2023 年 6 月 21 日公司將解禁 56.58 萬股，占公司總股本的 0.94%，股票解禁存在對(duì)公司股價(jià)造成沖擊的影響
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屬深圳證券交易市場，上市日期為2021年1月4日。
河北中瓷電子科技股份有限公司成立于2009年，總股本10,666.6667萬股。公司是專業(yè)從事電子陶瓷系列產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)，致力于成為世界一流的電子陶瓷產(chǎn)品供應(yīng)商，為客戶提供創(chuàng)新、高品質(zhì)、有競爭力的電子陶瓷產(chǎn)品。
公司主要產(chǎn)品包括光通信器件外殼、無線功率器件外殼、紅外探測器外殼、大功率激光器外殼、聲表晶振類外殼、3D光傳感器模塊外殼、5G通信終端模塊外殼、氮化鋁陶瓷基板、陶瓷元件、集成式加熱器等，廣泛應(yīng)用于光通信、無線通信、工業(yè)激光、消費(fèi)電子、汽車電子等領(lǐng)域。
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