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  • 光模塊外殼資訊

    光模塊外殼圖

    作者:網(wǎng)絡(luò)投稿            發(fā)布時(shí)間:2023-03-05 00:00            閱讀次數(shù):103

    網(wǎng)上有很多關(guān)于光模塊外殼圖,磷化銦襯底行業(yè)發(fā)展前景如何的知識(shí),也有很多人為大家解答關(guān)于光模塊外殼圖的問(wèn)題,今天瑞達(dá)豐光模塊外殼加工廠(m.xindifood.com)為大家整理了關(guān)于這方面的知識(shí),讓我們一起來(lái)看下吧!

    本文目錄一覽:

    1、光模塊外殼圖

    2、光模塊ab端怎么區(qū)分?

    光模塊外殼圖

    原文標(biāo)題:2021年全球磷化銦襯底行業(yè)現(xiàn)狀、競(jìng)爭(zhēng)格局及趨勢(shì)分析,5G基站建設(shè)帶動(dòng)光模塊需求「圖」

    一、磷化銦襯底綜述

    襯底是具有特定晶面和適當(dāng)電學(xué),光學(xué)和機(jī)械特性的用于生長(zhǎng)外延層的潔凈單晶薄片。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料以物理性能區(qū)分可劃分為三代:以硅、鍺等元素半導(dǎo)體材料為代表的第一代,奠定微電子產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ);以砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)等化合物材料為代表的第二代,奠定信息產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ);以及以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬禁帶半導(dǎo)體材料為代表的第三代,支撐戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

    襯底材料分類

    資料來(lái)源:公開(kāi)資料整理

    在高頻、高功耗、高壓、高溫等特殊應(yīng)用領(lǐng)域,III-V族化合物半導(dǎo)體材料以及寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料作為襯底有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。具體InP、SiC、GaN等半導(dǎo)體材料特性參數(shù)對(duì)比如下:

    InP、SiC、GaN等材料的特性參數(shù)對(duì)比

    資料來(lái)源:公開(kāi)資料整理

    二、磷化銦行業(yè)相關(guān)政策梳理

    磷化銦是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)金屬新材料中5G產(chǎn)業(yè)金屬相關(guān)材料,5G產(chǎn)業(yè)金屬相關(guān)材料主要包括高頻覆銅板、砷化鎵、磷化銦等。從政策端來(lái)看,政策大力支持,為新材料行業(yè)發(fā)展保駕護(hù)航。由于我國(guó)關(guān)鍵材料領(lǐng)域供給缺口較大,國(guó)家相繼頒布相關(guān)政策規(guī)劃大力發(fā)展新材料行業(yè)。2012年以來(lái),各部門(mén)相繼出臺(tái)新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃和指導(dǎo)意見(jiàn),通過(guò)綱領(lǐng)性文件、指導(dǎo)性文件、規(guī)劃發(fā)展目標(biāo)與任務(wù)等構(gòu)筑起新材料發(fā)展政策金字塔,予以全產(chǎn)業(yè)鏈、全方位的指導(dǎo)。

    中國(guó)新材料行業(yè)相關(guān)政策梳理

    資料來(lái)源:政府公開(kāi)報(bào)告,華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

    三、磷化銦襯底產(chǎn)業(yè)鏈

    磷化銦是磷和銦的化合物,磷化銦作為半導(dǎo)體材料具有優(yōu)良特性。使用磷化銦襯底制造的半導(dǎo)體器件,具備飽和電子漂移速度高、發(fā)光波長(zhǎng)適宜光纖低損通信、抗輻射能力強(qiáng)、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性,因此磷化銦襯底可被廣泛應(yīng)用于制造光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件等對(duì)應(yīng)下游終端領(lǐng)域包括5G通信、數(shù)據(jù)中心、人工智能、無(wú)人駕駛、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域。

    磷化銦襯底產(chǎn)業(yè)鏈

    資料來(lái)源:公開(kāi)資料整理

    銦最多獲取自硫化鋅礦物閃鋅礦。從鋅礦中回收的銦含量在百萬(wàn)分之一到萬(wàn)分之一之間。盡管黃銅礦和錫石等基礎(chǔ)金屬硫化物中也有微量銦存在,但這些礦物的大多數(shù)礦床對(duì)銦的回收不經(jīng)濟(jì)。據(jù)USGS數(shù)據(jù),2021年全球銦產(chǎn)量920噸,其中我國(guó)產(chǎn)量530噸,占比57.6%。由于銦為伴生礦,無(wú)法估算儲(chǔ)量。

    2020-2021年全球各國(guó)銦產(chǎn)量情況

    資料來(lái)源:USGS,華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

    四、磷化銦襯底行業(yè)現(xiàn)狀分析

    1、磷化銦襯底應(yīng)用情況

    從全球磷化銦襯底應(yīng)用情況來(lái)看,據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示,2020年光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件三者銷量占比分別為82%、4%和14%。光模塊器件和高端射頻器件目前是磷化銦下游主要的應(yīng)用。

    2020年全球磷化銦襯底下游市場(chǎng)銷量結(jié)構(gòu)情況

    資料來(lái)源:Yole,華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

    2、光模塊領(lǐng)域磷化銦襯底市場(chǎng)現(xiàn)狀

    從光模塊器件領(lǐng)域磷化銦市場(chǎng)銷量來(lái)看,受益于全球范圍內(nèi)5G基站大規(guī)模建設(shè)的鋪開(kāi),以及在數(shù)據(jù)流量爆發(fā)增長(zhǎng)的背景下,全球云計(jì)算產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也將帶動(dòng)全球范圍內(nèi)數(shù)據(jù)中心的大量建設(shè),帶動(dòng)磷化銦襯底市場(chǎng)。據(jù)統(tǒng)計(jì),2020年全球光模塊器件磷化銦襯底銷量為43.88萬(wàn)片(折合2英寸),同比增長(zhǎng)9.40%。預(yù)計(jì)2026年市場(chǎng)銷量達(dá)到100.03萬(wàn)片,2019年-2026年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)13.94%。

    2019-2026年全球光模塊器件磷化銦襯底銷量及增速情況

    資料來(lái)源:Yole,華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

    從市場(chǎng)規(guī)模來(lái)看,據(jù)Yole數(shù)據(jù),2020年全球光模塊器件磷化銦襯底市場(chǎng)規(guī)模為0.77億美元,同比增長(zhǎng)8.45%。預(yù)計(jì)2026年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1.57億美元,2019-2026年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)13.94%。

    2019-2026年全球光模塊器件磷化銦襯底市場(chǎng)規(guī)模及增速

    資料來(lái)源:Yole,華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

    五、磷化銦襯底行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

    從市場(chǎng)格局來(lái)看,磷化銦襯底材料市場(chǎng)頭部企業(yè)集中度很高,主要供應(yīng)商包括Sumitomo、北京通美(AXT持股85.6%)、日本JX等。據(jù)統(tǒng)計(jì),2020年全球前三大廠商占據(jù)磷化銦襯底市場(chǎng)90%以上市場(chǎng)份額,其中Sumitomo為全球第一大廠商,占比為42%;北京通美位居第二,占比36%。

    2020年全球磷化銦襯底市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局情況

    資料來(lái)源:Yole,華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

    六、磷化銦襯底行業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

    1、磷化銦襯底用于制造光模塊中的激光器和接收器,隨著5G基站建設(shè)的大規(guī)模鋪開(kāi),將極大帶動(dòng)對(duì)光模塊需求的增長(zhǎng)。光模塊是光通信的核心器件,主要應(yīng)用于通信基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。磷化銦襯底用于制造光模塊中的激光器和接收器。根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù),5G基站對(duì)光模塊的使用量顯著高于4G基站,隨著5G基站建設(shè)的大規(guī)模鋪開(kāi),疊加5G基站網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的變化,將極大帶動(dòng)對(duì)光模塊需求的增長(zhǎng)。

    2、光通信芯片主要基于成本較高的InP材料體系,而磷化銦單晶制備技術(shù)壁壘高,美國(guó)AXT公司和日本住友掌握著行業(yè)核心技術(shù)。能使單晶批量化生長(zhǎng)的技術(shù)主要有高壓液封直拉法(LEC)、垂直溫度梯度凝固法(VGF)和垂直布里奇曼法(VB)。美國(guó)AXT公司和日本住友分別使用VGF和VB技術(shù)可以生長(zhǎng)出直徑150mm的磷化銦單晶,日本住友使用VB法制備的直徑4英寸摻Fe半絕緣單晶襯底可以批量生產(chǎn)。VGF生產(chǎn)技術(shù)要求晶體表面翹曲度小于15微米,位錯(cuò)水平越低越好。中國(guó)磷化銦制備技術(shù)與國(guó)際水平仍有較大差距,國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)能規(guī)模較小,大尺寸磷化銦晶片生產(chǎn)能力不足。

    國(guó)內(nèi)開(kāi)展磷化銦單晶材料的研究工作已經(jīng)超過(guò)30年,但磷化銦單晶生長(zhǎng)技術(shù)的研究規(guī)模、項(xiàng)目支持力度和投入較小,與國(guó)際水平還存在較大差距。目前,國(guó)內(nèi)除通美北京工廠(AXT持股85.6%)外,尚沒(méi)有可批量生產(chǎn)單晶襯底的廠家。但傳統(tǒng)的砷化鎵、鍺單晶襯底廠家包括珠海鼎泰芯源公司、云南鍺業(yè)、先導(dǎo)稀材、中科晶電、東一晶體在內(nèi)的廠家正在積極布局。目前,由于國(guó)內(nèi)激光器外延廠家尚未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn),磷化銦襯底占全球總市場(chǎng)份額不足2%。

    原文標(biāo)題:2021年全球磷化銦襯底行業(yè)現(xiàn)狀、競(jìng)爭(zhēng)格局及趨勢(shì)分析,5G基站建設(shè)帶動(dòng)光模塊需求「圖」

    華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院對(duì)中國(guó)磷化銦襯底行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、行業(yè)上下游產(chǎn)業(yè)鏈、競(jìng)爭(zhēng)格局及重點(diǎn)企業(yè)等進(jìn)行了深入剖析,最大限度地降低企業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)與經(jīng)營(yíng)成本,提高企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力;并運(yùn)用多種數(shù)據(jù)分析技術(shù),對(duì)行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行預(yù)測(cè),以便企業(yè)能及時(shí)搶占市場(chǎng)先機(jī);更多詳細(xì)內(nèi)容,請(qǐng)關(guān)注華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院出版的《2022-2027年中國(guó)磷化銦行業(yè)市場(chǎng)全景評(píng)估及發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃報(bào)告》。

    光模塊ab端怎么區(qū)分?

    答:光模塊ab端的區(qū)分方式。1.看光纜米標(biāo),米標(biāo)數(shù)字小的一端為A端,米標(biāo)數(shù)字大的一端為B端。

    2.看光纜截面,領(lǐng)示色光纖(或填充管)順時(shí)針排列時(shí),此截面為A端,反之,如果呈逆時(shí)針排列,則判斷為B端。

    3.看方向及局站級(jí)別,東西方向,東為A端,西為B端,南北方向,北為A端,南為B端(此方法不常用,一般在施工設(shè)計(jì)時(shí)已確定A、B端)。

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